[发明专利]基于半金属材料超快光致能斯特效应的太赫兹发射技术在审
| 申请号： | 202210165223.8 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN116683273A | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 孙栋;芦伟 | 申请（专利权）人： | 北京大学;天津大学 |
| 主分类号： | H01S4/00 | 分类号： | H01S4/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于半金属材料中超快光致能斯特效应的太赫兹发射技术。本发明采用同时具有超快载流子动力学特性和较强能斯特热电响应的半金属材料，半金属在脉冲光照射下产生温度梯度，瞬态热载流子在外磁场的作用下会产生超快光致能斯特电流，以此辐射太赫兹波。这一太赫兹发射技术的相关基础研究成熟，工艺方法简单，太赫兹发射强度较高，调控简便。而且基于该技术的太赫兹器件工作限制条件少，不需要外加电压，工作温度窗口大，可在室温和大气环境中工作。基于半金属材料超快能斯特效应的太赫兹发射技术的上述优点在保证太赫兹发射性能的前提条件下能够显著降低超快太赫兹发射器件的成本，从而推动太赫兹的研究与应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属材料 超快光致能斯特 效应 赫兹 发射 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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