[发明专利]改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的方法、结构及半导体器件有效
| 申请号： | 202210165336.8 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114229787B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 陆晓龙;傅思宇;张彰 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;H04R19/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 绍兴市知衡专利代理事务所(普通合伙) 33277 | 代理人： | 邓爱民 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及改善深硅刻蚀晶圆硅柱缺陷的方法、结构及半导体器件，其中结构包括晶圆衬底硅片，晶圆衬底硅片包括位于中部的有效图形区域和位于边缘的晶圆边缘去边区，有效图形区域内形成芯片单元阵列；有效图形区域形成对应于每个芯片单元的有效区硅通孔，晶圆边缘去边区形成阵列排布的去边区硅通孔，有效区硅通孔及去边区硅通孔通过BOSCH工艺同步刻蚀形成。本发明在晶圆边缘去边区增设去边区硅通孔，在对晶圆进行BOSCH刻蚀时，利用对去边区硅通孔的刻蚀去捕获更多的等离子体，令有效图形区域最外圈的有效区硅通孔刻蚀时的等离子体数量下降，提高了晶圆刻蚀速率的均匀性，减少了硅柱缺陷的形成，提升了可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 刻蚀 晶圆硅柱 缺陷 方法 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
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