[发明专利]一种利用共沉淀法实现Ti/La共包覆NCM高镍三元前驱体的制备方法有效

专利信息
申请号: 202210165782.9 申请日: 2022-02-23
公开(公告)号: CN114560512B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 丁何磊;曹栋强;龚丽锋;方明;郝培栋;曹天福;许益伟;李晓升;邓明;曾启亮;苏方哲;陈艳芬;柴冠鹏;张旭;王博;周忍朋;郑红;韩宇航;张伟伟 申请(专利权)人: 浙江格派钴业新材料有限公司
主分类号: C01G53/00 分类号: C01G53/00
代理公司: 绍兴市越兴专利事务所(普通合伙) 33220 代理人: 沈兰兰
地址: 312000 浙江省绍兴市*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于锂电池正极材料制备技术领域,具体涉及一种利用共沉淀法实现Ti/La共包覆NCM高镍三元前驱体的制备方法。本发明提供的方法制备的前驱体Ti/La的沉积更加均匀,循环稳定性更好。制备的高镍三元前驱体在11um时有着高球形度,高结晶度,高致密度等优点。并且在Ti/La的加入是在10um球的基础上利用共沉淀法均匀沉积,此时Ti/La在前驱体球表面分布均匀,不会产生局部富集的现象,为后续的前驱体烧结正极材料提供了均匀的表面包覆层,可以有效阻止电解液对活性正极的副反应腐蚀。
搜索关键词: 一种 利用 共沉淀 实现 ti la 共包覆 ncm 三元 前驱 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江格派钴业新材料有限公司,未经浙江格派钴业新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210165782.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top