[发明专利]一种带孔洞钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法在审
| 申请号： | 202210167922.6 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114552386A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 李宇翔 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/32;H01S5/323;H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 237161 安徽省六安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带孔洞钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法，包括依次层叠设置的N电极、n型GaN衬底、N波导层、发光活性层、P波导层、P型电子阻挡层和钝化层；P型电子阻挡层的上部表面凸出设置有脊条，脊条包括P覆盖层、P接触层和P接触电极层；钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层设置在P型电子阻挡层的上表面，位于所述脊条的两侧，第一钝化层的靠近脊条的一侧设置有切角，使得第一钝化层与脊条之间形成切角空间，脊条两侧的切角对称设置；切角的上端部与脊条之间具有间隙，第二钝化层置于第一钝化层的上表面，在第二钝化层上表面及脊条上还设有P电极。其可形成较高光限制效果，降低对绝缘材料的折射率要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 孔洞 钝化 gan 激光二极管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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