[发明专利]基于C掺杂电流扩展层的GaN基发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210183114.9 | 申请日： | 2022-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN114843374A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;彭若诗;江青聪;范晓萌;苏华科;张涛;张雅超;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于C掺杂电流扩展层的GaN基发光二极管及其制备方法，方法包括：在蓝宝石衬底层上生长AlN成核层；在AlN成核层上生长U型GaN层；在U型GaN层上生长第一层n型GaN层；在第一层n型GaN层上生长第二层C掺杂GaN层；在第二层C掺杂GaN层上生长第三层n型GaN层；在第三层n型GaN层上生长多量子阱结构；在多量子阱结构上生长p型GaN层；刻蚀n型电极接触区，以暴露第一层n型GaN层；在n型电极接触区的第一层n型GaN层上沉积n型电极和在p型GaN层上沉积p型电极，以完成GaN基发光二极管的制作。本发明提出一种基于C掺杂的GaN基发光二极管的制备方法，用掺C的GaN层作为电流扩展层，提高LED的性能和可靠性，方法简单，无需引入额外生长源和工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 掺杂 电流 扩展 gan 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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