[发明专利]半导体存储装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210183990.1 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN115835640A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 久米一平 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供制造工序简化的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置包括第一芯片(40)和第二芯片(50)，所述第一芯片(40)包括：具有间隔地在第一方向上排列的多个第一导电层；在所述多个第一导电层内沿所述第一方向延伸的第一半导体层；所述第一半导体层与所述多个第一导电层之间的第一绝缘膜；第二半导体层(41)，设置在所述多个第一导电层的上方，与所述第一半导体层接触；以及与所述第二半导体层的上方接触而设置的第一电极(PD3a)，所述第二芯片50包括与所述第一电极接触的第二电极(PD4)和与所述第二电极接触的第二导电层(51)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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