[发明专利]改进半导体等离子体刻蚀工程特性的聚焦环在审
| 申请号： | 202210187605.0 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114597111A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 全宰弘 | 申请（专利权）人： | 亚新半导体科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京瀚仁知识产权代理事务所(普通合伙) 11482 | 代理人： | 周春梅;宋宝库 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改进半导体等离子体刻蚀工程特性的聚焦环。所述聚焦环为圆环形，在所述聚焦环的下部形成有沿周向彼此间隔开的多个狭槽，每个所述狭槽沿所述聚焦环的轴向从上到下逐渐增大或变小，使得所述狭槽具有不同尺寸的上部间距和下部间距，以使等离子气体均匀且迅速地扩散并排出。该聚焦环不仅可以改进半导体等离子体刻蚀工程的特性、时间和部件使用寿命，而且可使等离子气体迅速且均匀地扩散以改进刻蚀工程的均匀性，还能减少或省略刻蚀的前序工程中不必要的陈化工程。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 半导体 等离子体 刻蚀 工程 特性 聚焦 | ||
【主权项】：
暂无信息
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