[发明专利]基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210190204.0 申请日: 2022-02-28
公开(公告)号: CN114823920A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 马晓华;侯斌;常青原;杨凌;张濛;武玫;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/868 分类号: H01L29/868;H01L29/267;H01L23/373;H01L29/45;H01L21/329
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 王萌
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管,包括n+‑Ga2O3衬底层、n‑Ga2O3层、p+型金刚石层、p++型金刚石层、阴极层和阳极层,其中,所述阴极层、所述n+‑Ga2O3衬底层、所述n‑Ga2O3层和所述p+型金刚石层自下而上依次设置,所述p++型金刚石层设置在所述p+型金刚石层上表面,且所述p++型金刚石层上开设有多个沟槽,所述阳极层覆盖在所述多个沟槽内部和所述p++型金刚石层的上表面;所述n‑Ga2O3层的掺杂浓度小于所述n+‑Ga2O3衬底层的掺杂浓度,所述p++型金刚石层的掺杂浓度大于所述p+型金刚石层的掺杂浓度。本发明基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管结构可以增强PIN二极管的耐压性、减小导通电阻、减小反向漏电流、改善导热性能,提高器件的可靠性。
搜索关键词: 基于 氧化 金刚石 pin 二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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