[发明专利]基于n型氧化镓-p型金刚石的肖特基二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210190219.7 申请日: 2022-02-28
公开(公告)号: CN114823923A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 马晓华;侯斌;常青原;武玫;杨凌;张濛;朱青;宓珉瀚;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/267;H01L23/373;H01L21/329
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 王萌
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种基于n型氧化镓‑p型金刚石的肖特基二极管及其制备方法。肖特基二极管包括n型氧化镓衬底、n型氧化镓外延层、p型金刚石结区、阳极、绝缘介质和阴极;阴极、n型氧化镓衬底、n型氧化镓外延层依次层叠;p型金刚石结区分布在n型氧化镓外延层的表层中,形成终端结构;阳极位于n型氧化镓外延层上,且其两个端部分别与p型金刚石结区部分交叠;绝缘介质位于n型氧化镓外延层上,且与阳极的两端相接触。该二极管改善了氧化镓基肖特基势垒二极管反向偏压低、反向漏电流大、热效应明显、以及异质肖特基结附近电场集中效应等问题,获得了更大的功率容量以及较高的器件可靠性。
搜索关键词: 基于 氧化 金刚石 肖特基 二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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