[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202210190840.3 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN114649405A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 陈重辉;陈万得;钟淑维;谢东衡;张子敬;余宗欣;张永丰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件包括衬底。第一纳米片结构和第二纳米片结构设置在衬底上。第一纳米片结构和第二纳米片结构的每个具有至少一个形成源极/漏极区域的纳米片和包括导电栅极接触件的栅极结构。第一氧化物结构设置在第一纳米片结构和第二纳米片结构之间的衬底上。导电端子设置在第一氧化物结构中或上。导电端子、第一氧化物结构和第一纳米片结构的栅极结构限定电容器。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210190840.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种自浮动光模块的集成化连接器
- 下一篇：一种全局地图构建方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
