[发明专利]一种基于空间对称性破缺二维材料能谷极化电流的调制方法在审
| 申请号： | 202210197027.9 | 申请日： | 2022-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114582727A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 刘富才;尹辉东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学长三角研究院（湖州） |
| 主分类号： | H01L21/428 | 分类号： | H01L21/428;H01L21/34;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/78;C30B25/02;C30B29/46;C30B29/64 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 叶盛 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于空间对称性破缺二维材料能谷极化电流的调制方法，首先用空间对称性破缺二维材料构筑器件，包括两种类型：一种是从下至上分别为SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 空间 对称性 二维 材料 极化 电流 调制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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