[发明专利]一种嵌入式非易失性闪存存储器结构和制造方法及应用

摘要

本发明属于闪存存储器技术领域，公开了一种嵌入式非易失性闪存存储器结构和制造方法及应用，嵌入式非易失性闪存存储器制造方法包括：清洗标准P型硅晶圆片；制造隧穿层；制造存储层；制造隔绝层；制造门级层；形成门级图案；形成源/漏级。本发明解决门级漏电问题，提高了隔绝层的效率，使得在门级加正电压的情况下，电荷存储层的电子穿过隔绝层的机率降低。存储器表现为错误率减少，使用寿命增加。本发明提高了闪存存储器的存储效率，使用金属微晶体代替了传统的氮化硅作为存储层；本发明提高了闪存存储的可靠性，存储层为离散结构的金属微晶体代替了传统的连续结构的氮化硅层，使得漏电对存储器性能的破坏性减少。