[发明专利]原位加热芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202210205477.8 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN114899070A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 杜海峰;王宁;郝宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | H01J37/20 | 分类号： | H01J37/20;H05B3/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明的原位加热芯片及其制造方法，能够在很小的范围内进行加热并能够实现较高的温度梯度。原位加热芯片(100)包括：由硅构成的基片；形成在基片的至少1个主面上的二氧化硅层；和形成在二氧化硅层上的氮化硅层，原加热芯片(100)形成有通过除去基片而保留至少1个氮化硅层而成的加热微区薄膜窗口，在加热微区薄膜窗口形成有至少2个能够独立地加热的加热区域，在每个加热区域，在氮化硅层上形成有金属薄膜电阻图案(102)和与金属薄膜电阻图案(102)电连接的多个电极(102‑1、102‑2、102‑3、102‑4)，在至少2个加热区域的每个加热区域之间，形成有由多个贯通加热微区薄膜窗口的贯通孔构成的镂空阵列(103)。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 加热 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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