[发明专利]晶圆上料装置有效
| 申请号： | 202210206016.2 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN114566450B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 田泽均;李聪基 | 申请（专利权）人： | 珠海市硅酷科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人： | 林丽映 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市高*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆上料装置，包括扩膜机构和顶起机构，扩膜机构包括滑动板、滑动控制机构、承接板、承接控制机构、挡板、扩膜环和转动控制机构，顶起机构包括真空套筒、运行控制机构、顶起柱和顶升控制机构，运行控制机构可控制真空套筒在Y轴方向上移动，真空套筒的顶端面开设有多个真空吸孔，顶起柱可在Z轴方向上移动地位于真空套筒内，顶起柱的顶端凸出设置有多个顶针，多个顶针在Z轴方向上延伸并可移动地穿出真空套筒的顶端面设置，顶升控制机构设置在真空套筒上并可控制顶起柱在Z轴方向上移动。本发明晶圆上料装置能够大大削弱该晶圆芯片与蓝膜之间的附着力，只需较小抓取力即可快速剥离，工作稳定可靠，自动化程度高，工作效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆上料 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
