[发明专利]基于高通量气相共蒸制备稳定CsPbI2

摘要

本发明提供的基于高通量气相共蒸制备稳定CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的方法，属于钙钛矿材料的制备技术领域，采用溴化铯和碘化铅作为蒸发源，通过保持沉积过程中衬底位置固定，获得溴化铯和碘化铅的含量沿两个蒸发源位置方向呈梯度变化的高相稳定性的CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜；优选将衬底设置在特定位置，可获得三维CsPbI2Br钙钛矿晶界处分布有零维Cs4PbI6‑xBrx“分子锁”结构的稳定CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜，会促进无机CsPbI2Br钙钛矿(100)晶面的择优取向，有利于光电流传输，提高光电转换效率。