[发明专利]一种激光选区烧结双相增韧SiC陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 202210213973.8 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN114538943A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 杨丽霞;温国强;刘天龙;陈照峰 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/84;C04B35/565;C04B35/628;C04B35/622;B33Y70/10;B33Y80/00;B33Y10/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光选区烧结双相增韧SiC陶瓷及其制备方法，双相增韧SiC陶瓷由MAX相、碳纤维与SiC基体组成，MAX相质量分数5‑23％，碳纤维质量分数5‑23％。首先采用化学气相沉积方法分别在MAX相陶瓷粉末和短切碳纤维表面包覆碳化硅界面层，然后将二者与SiC陶瓷粉末、粘接剂混合均匀并制成核壳结构，再采用激光选区烧结技术制备SiC陶瓷素坯，最后通过预烧结碳化和高温液硅熔渗得到双相增韧SiC陶瓷材料。本发明利用MAX相特殊层片状结构和短切碳纤维条状结构共同对裂纹的扩展起到偏转和钝化作用，碳化硅界面层在后续高温液硅熔渗中对增韧相起保护作用，提升SiC陶瓷的强度、断裂韧性、耐高温性和耐摩擦性，降低密度，满足航空航天领域对轻质高强SiC陶瓷结构材料需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 选区 烧结 双相增韧 sic 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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