[发明专利]一种修饰无铅金属卤化物发光二极管中空穴注入层的方法在审
| 申请号： | 202210214350.2 | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN114597321A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 徐锐;司俊杰;孙硕;郝晓明;杜逸航;胡乾庆;刘祖刚 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种修饰无铅金属卤化物发光二极管中空穴注入层的方法。上述无铅金属卤化物发光二极管从下到上依次为：ITO层、修饰的空穴注入层、无铅金属卤化物发光层、电子注入层、电极修饰层和金属电极。上述修饰的空穴注入层是通过聚苯乙烯磺酸钠（Poly(sodium‑p‑styrenesulfonate)，PSSNa）水溶液与PEDOT:PSS掺杂而形成的。该修饰材料，能够减少空穴注入，平衡载流子传输，钝化表面缺陷，操作方便，容易控制，价格低廉。基于修饰空穴注入层的无铅金属卤化物发光二极管，性能显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修饰 金属 卤化物 发光二极管 空穴 注入 方法 | ||
【主权项】：
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