[发明专利]一种基于斜测电离图自动反演电离层参数的方法在审
| 申请号： | 202210215434.8 | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN114943132A | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 张旭辉;姜春华;刘桐辛;杨国斌;赵正予 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 许莲英 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于斜测电离图自动反演电离层参数的方法。本发明确定QPS模型的初始参数和枚举区间；选取每一组QPS参数构建背景电子密度并合成理论垂测电离图；将理论垂测电离图转化为理论斜测电离图；如果理论斜测电离图和实测斜测电离图的频率参数差和群路径参数差都在阈值范围内，就进行相关运算；枚举完毕后，取最大相关值对应的QPS参数作为电离层F2层参数反演结果。本发明所公开的利用多层准抛物线模型直接自动反演斜测电离图的方法，采用多层准抛物线模型，并将垂测电离图转化为斜测电离图作比较，有利于提高反演结果的精度和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电离 自动 反演 电离层 参数 方法 | ||
【主权项】：
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