[发明专利]半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法在审
| 申请号： | 202210216307.X | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN115831924A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 田中南;飯田直幸 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27;H10B41/35 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文中描述的实施例大体上涉及一种半导体存储器装置及一种制造所述半导体存储器装置的方法。根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：互连层，其堆叠于衬底上方；存储器支柱，其经配置以穿透所述互连层；第一构件及第二构件；及分割部分，其提供于所述第一构件与所述第二构件之间。所述分割部分包含绝缘层。所述绝缘层各自包含第一部分及第二部分。所述第一部分提供于所述第一构件与所述第二部分之间。所述第二部分提供于所述第一部分与所述第二构件之间。所述第一部分及所述第二部分在从顶部看时各自具有个别弧形且彼此接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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