[发明专利]一种垂直结构LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210218688.5 | 申请日： | 2022-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN114725269A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人： | 何雪霞 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及LED芯片制造技术领域，具体涉及一种垂直结构LED芯片及其制备方法。垂直结构LED芯片从下向上依次包括导电衬底、第二金属键合层、第一金属键合层、第二金属反射层、电流阻挡层、第一金属反射层、p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层、钝化层和N电极；电流阻挡层与p‑GaN层接触；第一金属反射层位于电流阻挡层内部与p‑GaN层接触形成欧姆接触，与电流阻挡层底部平齐；第二金属反射层覆盖在电流阻挡层和第一金属反射层的表面，并与第一金属键合层连接形成电导通。通过引入第二金属反射层，增加芯粒边缘反射出光，提升芯粒出光效率。本发明只作业三道光刻，将垂直结构LED芯片的对位标记点、电流阻挡层、金属反射层在一道光刻制备，有效降低产品的制备成本和周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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