[发明专利]晶圆铜互连的高纯度硫酸铜的制备方法及其电镀铜工艺在审
| 申请号： | 202210221860.2 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114318436A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 姚玉;王江锋 | 申请（专利权）人： | 深圳市创智成功科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D7/12;C01G3/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆铜互连的高纯度硫酸铜的制备方法及其电镀铜工艺。该电镀铜工艺中电镀溶液包括以下质量浓度的组分：高纯度硫酸铜100‑200g/L；浓硫酸120‑150g/L；复合整平剂30‑90mg/L；复合润湿剂15‑45mg/L；络合剂0.5‑4g/L；加速剂0.1‑0.5g/L；光亮剂15‑75g/L；走位剂10‑40mg/L；去极化剂15‑45mg/L。使用该发明电镀铜溶液在晶圆上进行电镀，可以获得均匀性优异的铜柱，拱形率低于3%，且适用宽电流密度范围，电流密度范围为0.1‑75ASD。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆铜 互连 纯度 硫酸铜 制备 方法 及其 镀铜 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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