[发明专利]晶片和芯片的制造方法、晶片以及激光束的对位方法在审
| 申请号： | 202210222254.2 | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN115106658A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 桥本一辉 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/70;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供晶片和芯片的制造方法、晶片以及激光束的对位方法。能够抑制芯片的强度降低，并且能够适当地调节激光束的照射位置。该晶片的制造方法包含如下的步骤：准备步骤，准备晶片，该晶片包含基板和设置于基板的正面侧的层叠体，该晶片具有在由按照相互交叉的方式排列的多条分割预定线划分的多个区域内设置有多个器件的器件区域以及围绕器件区域的外周剩余区域；以及激光加工槽形成步骤，从晶片的层叠体侧沿着分割预定线照射对于层叠体具有吸收性的波长的第1激光束，形成沿着分割预定线的激光加工槽，第1激光束的照射条件按照与器件区域相比在外周剩余区域中容易产生层叠体的熔融的方式设定。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 芯片 制造 方法 以及 激光束 对位 | ||
【主权项】：
暂无信息
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