[发明专利]半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备在审
| 申请号： | 202210225670.8 | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN114664852A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 杨琨;贾建权;贾信磊;周稳;游开开;靳磊;韩佳茵;徐盼 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备。涉及半导体芯片技术领域，旨在解决沟道孔底端尺寸小，导致栅控能力降低的问题。上述半导体结构包括半导体衬底、存储叠层结构以及沟道结构。存储叠层结构设置于半导体衬底的一侧；存储叠层结构包括依次远离半导体衬底，且层叠设置的第一存储堆叠层、连接层以及第二存储堆叠层；第一存储堆叠层和第二存储堆叠层包括多层栅极层。沟道结构贯穿存储叠层结构；沟道结构包括第一沟道结构和第二沟道结构；第一沟道结构贯穿第一存储堆叠层，第二沟道结构贯穿第二存储堆叠层和连接层。其中，第二沟道结构中与连接层接触的部分，朝向连接层凸起。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 三维 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210225670.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
