[发明专利]一种单面引出的压电薄膜传感器结构及制备方法在审
| 申请号： | 202210228925.6 | 申请日： | 2022-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN114725279A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 何大伟;朱凯 | 申请（专利权）人： | 上海凸申科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L41/29;H01L41/047 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及传感器技术领域，具体涉及一种单面引出的压电薄膜传感器结构及制备方法，其特征在于，包括：压电薄膜；下电极，设置于所述压电薄膜的上表面；上电极，设置于所述下电极上方，所述上电极设置有引出结构，连接所述压电薄膜，于所述引出结构与所述上电极形成的台阶区域设置至少两层银浆印刷层。本发明采用上电极局部厚度加强的方式，使上电极在压电薄膜台阶处的厚度足够厚，从而填平此处的落差，避免传统方式上电极银浆涂刷厚度过薄导致的电极断裂风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单面 引出 压电 薄膜 传感器 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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