[发明专利]一种电子抽取型续流二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202210229795.8 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114300543B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 冯浩;刘永;单建安 | 申请（专利权）人： | 安建科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L27/07;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 袁燕清 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区新安街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电子抽取型续流二极管器件及其制备方法，本发明涉及一种功率半导体器件，通过在N型漂移区上还设置一个以上用于增加电子抽取通路密度的第一结构，第一结构包括有轻掺杂P型基区及设于轻掺杂P型基区上方的重掺杂N型发射区、P型沟槽阳极区及设于P型沟槽阳极区上的沟槽区，重掺杂N型发射区、轻掺杂P型基区和N型漂移区构成穿通型NPN三极管结构，所述的N型漂移区、P型平面阳极区和P型沟槽阳极区形成JFET结构,所述P型平面阳极区和P型沟槽阳极区与阳极电极）形成肖特基接触,所述重掺杂P型欧姆接触区与阳极电极形成欧姆接触；穿通NPN三极管势垒高度调整范围广，可增大对反向恢复又软又快的调整幅度等有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 抽取 型续流 二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安建科技（深圳）有限公司，未经安建科技（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210229795.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种微波烹饪设备的门锁结构及微波烹饪设备
- 下一篇：半导体封装结构的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
