[发明专利]一种用于碳化硅半导体制程中的清洗液组合物在审
| 申请号： | 202210231035.0 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114574297A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 孙秀岩;金徽 | 申请（专利权）人： | 张家港安储科技有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/06 | 分类号： | C11D7/06;C11D7/04;C11D7/10;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/34;C11D7/60 |
| 代理公司： | 苏州启华专利代理事务所(普通合伙) 32357 | 代理人： | 徐伟华 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于碳化硅半导体制程中的清洗液组合物，所述清洗液组合物组成包括羟胺和/或其盐和/或其衍生物、有机酸和/或有机酸盐、去离子水，各组分所占清洗液的质量百分比为：羟胺和/或其盐和/或其衍生物0.1‑30wt%、有机酸和/或有机酸盐0.05‑20wt%，余量为去离子水，所述清洗液组合物的pH值＜7。本发明的清洗液组合物的原料组分简单，其可有效去除残留在设备表面、研磨垫表面及SiC晶圆表面上的污染物、痕量金属离子和研磨粒子，同时不会腐蚀接触的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碳化硅 半导体 中的 清洗 组合 | ||
【主权项】：
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