[发明专利]基于三维硅基体/过渡金属化合物复合电极材料、制备方法及应用在审
| 申请号： | 202210232093.5 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN114649150A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 申小娟;韦欣月;王同飞 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/48;H01G11/86;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于三维硅基体/过渡金属化合物复合电极、制备方法及应用，所述的过渡金属化合物包括过渡金属硫化物、过渡金属硒化物或者二者的混合物。主要的制备方法是以三维硅基体为基底，通过电化学法、水热法或者高温煅烧法在上面直接或间接制备过渡金属化合物。根据电极结构的不同设计与制备，本发明制备得的三维硅基体/过渡金属化合物电极材料可分别应用于能量转换与存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 三维 基体 过渡 金属 化合物 复合 电极 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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