[发明专利]一种超低介电多孔聚酰亚胺薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210241681.5 申请日: 2022-03-11
公开(公告)号: CN114426698A 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 查俊伟;董晓迪;郑明胜 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C08J9/28 分类号: C08J9/28;C08L79/08;C08G73/10
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种超低介电多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法。所述多孔聚酰亚胺薄膜采用芳香族二酐和二胺作为聚合单体,离子液体1‑丁基‑3‑甲基咪唑四氟硼酸盐([BMIM][BF4])作为致孔剂,通过原位聚合和共混的方法制备了20~40μm的薄膜,薄膜的介电常数为1.50~2.84。聚合过程中涉及的氨基总量与酸酐基总量的摩尔比为1:1,[BMIM][BF4]在整个体系中所占的体积分数为0~85vol%。该多孔聚酰亚胺薄膜具有超低的介电常数、良好的热稳定性、优异的疏水和吸波性能,在柔性电路板、微电子封装、国防及航空航天等领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 超低介电 多孔 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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