[发明专利]一种用于深孔PVD的金属自离子化装置及镀膜方法在审
| 申请号： | 202210242955.2 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114686831A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 佘鹏程;程文进;范江华;黄也;罗超 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/54 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 何文红 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种用于深孔PVD的金属自离子化装置及镀膜方法，包括溅射腔体、基片台、溅射组件、绝缘环、适配板和离子化线圈组件，适配板位于溅射腔体上部，溅射组件位于溅射腔体顶部，溅射组件通过绝缘环与适配板绝缘密封布置，基片台位于溅射腔体内，离子化线圈组件位于溅射腔体内，位于基片台和溅射组件之间，离子化线圈组件包括离子化线圈，溅射组件包括溅射靶材，溅射靶材的材质与离子化线圈相同；基片台与第一射频电源连接；离子化线圈与第二射频电源连接。其制备方法是采用以上装置进行镀膜处理。本申请金属自离子化装置，具有结构简单、镀膜均匀性好、沉积效率高等优点，可以实现深孔孔洞中阻挡层薄膜的沉积，使用价值高，应用前景好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 pvd 金属 离子化 装置 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
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