[发明专利]一种外延片制备方法、外延片以及发光二极管有效
| 申请号： | 202210244015.7 | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN114335267B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 胡加辉;刘春杨;吕蒙普;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延片制备方法、外延片以及发光二极管，所述方法包括提供衬底；在所述衬底上生长缓冲层；通过Ga量的变化在所述缓冲层上进行渐变生长第一GaN层，后恒定生长第二GaN层；在所述第二GaN层依次生长不掺杂的GaN层、N型掺杂的GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型掺杂的GaN层。本发明解决了现有技术中的外延片制作的芯片发光亮度较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 制备 方法 以及 发光二极管 | ||
【主权项】：
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