[发明专利]一种接触孔及其制作方法在审
| 申请号： | 202210244493.8 | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN114334811A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 廖军;张志敏 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/027;H01L21/311;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种接触孔及其制作方法，该接触孔制作方法包括以下步骤，提供一半导体结构，其中，半导体结构包括多个间隔设置的闸极结构及覆盖闸极结构的层间介质层，于层间介质层的上表面形成一光阻层中，并图案化光阻层以得到光阻开口；基于图案化的光阻层形成接触孔于层间介质层，且于形成接触孔的过程中扩大光阻开口以使接触孔的内壁形成内壁转角；去除光阻层，并圆化接触孔的顶部转角及接触孔的内壁转角。本发明通过设计形成接触孔的步骤，当接触孔的底面与闸极结构上表面齐平时，增加扩大光阻开口的步骤，形成接触孔后增加圆化接触孔的顶部转角及内壁转角的步骤，增大了后续沉积步骤的沉积面积，降低了沉积难度，提升了后续沉积步骤的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
