[发明专利]功率半导体设备用的DBC衬底、DBC衬底制造方法和具DBC衬底的功率半导体设备在审
| 申请号： | 202210244521.6 | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN115116989A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | A·罗特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种用于功率半导体设备的DBC衬底包括：由非氧化物陶瓷制成的陶瓷工件，其中，所述陶瓷工件具有第一主侧面和相对置的第二主侧面，其中，在两个主侧面之间进行测量的情况下，所述陶瓷工件具有10μm或更大的厚度；含铜层，所述含铜层布置在所述第一主侧面上方，其中，所述含铜层具有5μm或更大的厚度；以及具有Al |
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| 搜索关键词： | 功率 半导体 备用 dbc 衬底 制造 方法 半导体设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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