[发明专利]一种单核Ⅲ-Ⅴ族量子点及其制备方法有效
| 申请号： | 202210244586.0 | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN114561211B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 孙笑;程陆玲;丁云;蒋畅 | 申请（专利权）人： | 合肥福纳科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;C09K11/74;B82Y20/00;B82Y40/00;C01B25/08 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 王丽莎 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市新站*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及量子点的制备技术领域，具体而言，涉及一种单核Ⅲ‑Ⅴ族量子点及其制备方法。单核Ⅲ‑Ⅴ族量子点的制备方法包括依次执行如下步骤：将Ⅲ族源、第一配体以及非配位性溶剂混合进行第一反应制备外延用阳离子源；将Ⅲ‑Ⅴ族晶种与外延用阳离子源混合进行第二反应、加入第一阴离子源进行第三反应、加入有机酸进行第四反应以及加入第二阴离子源进行第五反应；其中，第一阴离子源和第二阴离子源均为Ⅴ族源。本申请制备的单核Ⅲ‑Ⅴ族量子点尺寸大且尺寸均一性较佳，能够满足产业化的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单核 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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