[发明专利]降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法及装置在审
申请号: | 202210246654.7 | 申请日: | 2022-03-14 |
公开(公告)号: | CN114752994A | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 尚保卫;刘旭阳;刘帆;尹杏;宋育兵;赵雄;万烨;严大洲 | 申请(专利权)人: | 中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B29/06;C30B15/00;C30B15/14;C30B28/10 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李平;杨桦 |
地址: | 100038*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法及装置,包括以下步骤:为制备硅芯棒晶体的单晶炉设备通冷却水,使所述单晶炉设备的温度控制在预设范围;在所述单晶炉设备的导流筒上部设置固化毡、热屏装置;启动所述单晶炉设备,进入晶体生长阶段;当所述晶体生长阶段完成后,将制备得到的硅芯棒晶体脱离液面至预设高度,同时降低所述单晶炉设备的功率,在所述硅芯棒晶体冷却预设时间后,功率关闭;的所述硅芯棒晶体需在预设时间内静置、出炉。利用上述降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法和用于执行上述方法的装置,有效降低硅芯棒晶体在拉直过程中隐裂、裂纹等缺陷,并且在硅芯棒晶体的预制过程中不仅限于单晶,从而降低制备硅芯棒晶体的难度。 | ||
搜索关键词: | 降低 拉直 硅芯棒 晶体 方法 装置 | ||
【主权项】:
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