[发明专利]一种InN自组装纳米柱制备方法及其产物在审
| 申请号： | 202210250161.0 | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN114808119A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 吴国光;管祺曾;王成;胡逸凡;张宝林 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/18;C30B29/40;H01L21/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳五邻知识产权代理事务所(普通合伙) 44590 | 代理人： | 王策 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种InN自组装纳米柱制备方法及其产物，包括以下步骤：(1)对表面有二氧化硅薄层的衬底进行低温退火处理；(2)采用氮等离子体对二氧化硅薄层进行低温氮化处理形成成核点；(3)采用低温外延形成InN纳米柱形貌；(4)升高衬底温度后，继续生长InN纳米柱。本发明提供的制备方法采用对衬底表面二氧化硅薄层进行氮化处理，在氮化处理后形成的成核层上低温获得InN纳米柱形貌，并且本发明采用的SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 inn 组装 纳米 制备 方法 及其 产物 | ||
【主权项】：
暂无信息
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