[发明专利]半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 202210250438.X | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114628877B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;白龙刚;惠利省 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 董艳芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制备方法，涉及半导体加工的技术领域，在光阻层的上方设置具有开口的掩模版，通过开口对顶部部分上方的光阻层部分以及位于侧壁部分横行外侧第一宽度范围内的光阻层部分进行曝光；对曝光后的光阻层进行显影处理，以使顶部部分上方的光阻层部分全部去除，并使光阻层在第一宽度范围内形成凹陷结构，凹陷结构与侧壁部分围成凹槽，凹槽的最低点低于顶部部分的上表面；对光阻层进行热处理，以使凹陷结构向凹槽内回流，直到凹槽中的光刻胶的液面位于顶部部分的上表面的上方。以光刻胶为掩模对电介质层进行刻蚀，将顶部部分去除，以形成电极接触窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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