[发明专利]一种用于功率半导体PN结保护的工艺方法在审
| 申请号： | 202210252341.2 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114388372A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 肖南海 | 申请（专利权）人： | 上海音特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 上海创开专利代理事务所(普通合伙) 31374 | 代理人： | 汪发成 |
| 地址： | 201502 上海市金山*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于功率半导体PN结保护的工艺方法，涉及功率半导体器件领域。本发明包括步骤：将芯片扩散完成的芯片进行腐蚀沟槽，并在完成后，增加一次去离子水超声工序，将表面清洗干净；使用多功能薄膜磁控溅射系统进行涂聚酰亚胺液；然后进行聚酰亚胺液的固化工艺；进行固化后清洗；将经上述处理工艺的硅片进行焊接面镀钛、镍、银，然后进行烘干处理；晶圆的划片。本发明解决传统GPP工艺功率半导体PN结使用玻璃粉钝化，防止玻璃固化后划分引起的潜在失效问题；利用聚酰亚胺的聚合物所特有的绝缘性，对于保护功率器件PN结的保护具有高韧性、容易控制、高可靠性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 功率 半导体 pn 保护 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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