[发明专利]一种硒化亚锡p型半导体薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210254539.4 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114645257A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 潘锋;梁军 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李小焦;彭家恩 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种硒化亚锡p型半导体薄膜及其制备方法和应用。本申请的硒化亚锡p型半导体薄膜制备方法，包括采用磁控溅射，在衬底上沉积硒化亚锡膜层；对沉积硒化亚锡膜层的衬底进行氯化物溶液处理，获得表面覆盖氯化物的硒化亚锡膜层；然后，在真空或惰性气氛或弱还原气氛下，100‑600℃加热10～60分钟，冷却到室温，即获得硒化亚锡p型半导体薄膜。本申请的制备方法，先采用磁控溅射制备无定型的硒化亚锡膜层，再进行氯化物溶液处理和100‑600℃的退火处理，得到结晶硒化亚锡p型半导体薄膜。本申请制备方法简单、易操作、成本低，适用于大面积生产，解决了SnSe材料不易成膜的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硒化亚锡 半导体 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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