[发明专利]存储器、半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210255938.2 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN116801611A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 吴润平 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体技术领域，主要涉及一种存储器、半导体结构及其制备方法，本公开的制备方法包括：提供衬底，衬底包括并排分布的阵列区和外围区，阵列区形成有隔离层、导电接触塞及多个间隔分布的位线结构，位线结构沿垂直于衬底的方向延伸，隔离层覆盖位线结构的侧壁，导电接触塞形成于相邻位线结构之间的隔离层围成的区域；外围区形成有堆叠膜层；形成覆盖位线结构、隔离层、导电接触塞及堆叠膜层的掩膜层；蚀刻掩膜层，以露出隔离层的顶部。本公开的制备方法可降低外围区损伤风险，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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