[发明专利]一种氧化镍基自偏压光电探测器及其制备方法和应用

摘要

本申请公开了一种氧化镍基自偏压光电探测器及其制备方法和应用。本申请的氧化镍基自偏压光电探测器，包括基板和固定在基板上的光电结构，光电结构包括光敏半导体层和阻挡半导体层，以及对电极薄膜层；光敏半导体层为二氧化钛和/或金属掺杂二氧化钛形成的n型半导体材料层；阻挡半导体层为氧化镍形成的p型半导体材料层。本申请的氧化镍基自偏压光电探测器，作为阻挡半导体层的氧化镍禁带宽度大、可见光的透过性好，与二氧化钛配合，能降低异质结的界面失配，p型NiO材料与n型TiO2界面的内建势垒高，具有更高耗尽区自建电势，从而拥有更高光电转化能力；通过能带和界面调整，形成优化的pn型异质结，提高器件在高速条件下的光电响应。