[发明专利]一种兼具高稳定性与光刺激响应性的镝基单离子磁体超分子框架及其合成方法有效
| 申请号： | 202210262448.5 | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN114835909B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王凯;罗学晶;滕青湖;梁福沛 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;C07F5/00;H01F1/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种兼具高稳定性与光刺激响应性的镝基单离子磁体超分子框架及其合成方法。此框架分子式为[Dy(thqa)]，单个分子由1个三(8‑羟基喹啉‑2‑甲醛)缩三(2‑氨乙基)胺席夫碱配体，以其3个酚氧原子、3个亚胺氮原子与3个喹啉氮原子共同螯合1个镝离子而形成单核配合物结构。各分子进而通过分子间π···π堆积作用与相邻的3个分子相连，形成超分子框架。热重测试、各种溶剂与碱性溶液浸泡样品的X‑射线粉末衍射测试，分别表明了该框架良好的热稳定性、溶剂稳定性与碱稳定性。该框架呈现频率依赖的单离子磁体行为，且具备双重弛豫特征。而在施加光刺激后，其静态与动态磁学行为相对于光刺激前均有较大变化，表明该框架同时具备良好的光刺激响应性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 兼具 稳定性 刺激 响应 镝基单 离子 磁体 分子 框架 及其 合成 方法 | ||
【主权项】：
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