[发明专利]基于背照式CMOS工艺的石墨烯红外探测器及制备方法在审
| 申请号： | 202210264075.5 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114628427A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 王肖沐;刘媛;王军转;施毅 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/028;H01L31/102 |
| 代理公司： | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人： | 李培 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于背照式CMOS工艺的石墨烯红外探测器制备方法，包括：1)利用背照式CMOS工艺形成Si衬底；2)获得单层或多层石墨烯；3)将所述单层石墨烯转移到步骤1)的Si衬底上。本发明的石墨烯红外探测器的背照式CMOS制备工艺使电气组件与光线分离，避免了金属布线层对光的吸收、反射，从而获得更高的量子效率，实现更高质量的成像。采用石墨烯作为吸光的材料，因其极高的载流子迁移率及对红外波段的宽谱吸收，使得本发明所述石墨烯红外光探测器具有极快的响应速度和全波段的响应带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 背照式 cmos 工艺 石墨 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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