[发明专利]一种GaN超薄芯片扇出型封装结构及封装方法有效
| 申请号： | 202210274190.0 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN114361025B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 李春阳;彭祎;刘明明;罗立辉;方梁洪 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 吴英杰 |
| 地址： | 315000 浙江省宁波市宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种GaN超薄芯片扇出型封装结构及封装方法，涉及半导体封装技术的领域，其包括以下步骤：于GaN晶圆的焊盘上形成电镀金属柱；将GaN晶圆从具有电镀金属柱的一侧进行切割；将GaN晶圆按照研磨厚度进行研磨；于GaN芯片上形成背胶；将背胶远离GaN芯片的一侧涂覆上粘合胶，并粘接于载体圆片上；形成塑封层，并通过研磨工艺研磨塑封层远离载体圆片的一侧以将电镀金属柱远离GaN芯片的一侧露出；在塑封后的GaN芯片远离载体圆片的一侧依次形成再布线层、PI保护层和UBM层；于UBM层上形成锡球。本申请具有通过先切割后研磨的技术，减少了研磨过程以及后续操作工程中造成晶圆隐裂或直接裂片的可能性，提高了切割的成品率和完整度的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 超薄 芯片 扇出型 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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