[发明专利]一种多维度图案化硅基纳米草制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202210274651.4 申请日: 2022-03-18
公开(公告)号: CN114620675A 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 徐天彤;李海旺;方卫东;陶智;吴瀚枭;聂芃芃;李沐润 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B82Y40/00
代理公司: 北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630 代理人: 焦丽雅
地址: 100083 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 多维度图案化硅基纳米草制备方法及其应用,包括金属辅助化学刻蚀硅基纳米草系列实验及参数设计;电场/电流辅助下多维度复杂结构表面上硅基纳米草的制备;基于光刻掩膜工艺的图案化硅基纳米草。本发明研究了金属辅助化学刻蚀硅基纳米草中的各项参数,为之后不同应用场景中工艺参数的选择提供了重要的参考依据;采用了电场/电流的辅助方法,设计了专用电流/电场下金属辅助化学刻蚀的实验平台,克服了传统制备方法中对重力的依赖性以及横向刻蚀的不可控性,实现了多维度复杂结构表面的硅基纳米草湿法可控制备技术;采用图案化掩膜方案,结合前期光刻及湿法工艺制备图案化掩膜,阻隔掩膜部分刻蚀反应的进行,实现硅基纳米草的图案化选择性刻蚀。
搜索关键词: 一种 多维 图案 化硅基 纳米 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
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