[发明专利]三维存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种三维存储器件及其制造方法，该方法包括：提供衬底，衬底上形成有堆叠结构，堆叠结构包括交替层叠的多晶硅层和绝缘层；沿衬底的厚度方向形成贯穿堆叠结构的沟道孔，沟道孔的内壁包括第一交界面和第二交界面；利用多晶硅层形成位于沟道孔的径向两侧的金属硅化物；去除金属硅化物以形成凹槽，并在凹槽的表面以及第一交界面上形成阻挡层；在阻挡层上沉积电荷捕获层以填充凹槽，且电荷捕获层的表面上形成有与凹槽对应的开口；在开口中形成掩膜体，以通过掩膜体为掩膜去除多余电荷捕获层，并形成沿厚度方向相互隔开的单元电荷捕获层。由于单元电荷捕获层在厚度方向上被隔开，可避免电子沿沟道孔的轴向进行漂移或扩散。