[发明专利]基于氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管及其制备方法。氮化镓异质结薄膜的主体结构为SiN/GaN/AlyGa1‑yN/AlN/GaN。阴极与异质结界面的二维电子气形成欧姆接触，在SiN介电层上的半透明金属阳极与氮化镓异质结形成金属‑绝缘体‑半导体（MIS）结构。由于异质结薄膜中具有的对立的极化电场，这种基于氮化镓异质结的MIS光电二极管在不同能量的紫外光激发下可以产生不同方向的光电流。本发明的基于硅衬底上氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管工艺简单，性能稳定，能够与CMOS工艺兼容，可以作为未来多功能光电集成芯片及系统中的高性能光电探测单元。