[发明专利]多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法及装置在审
| 申请号： | 202210279430.6 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN114638107A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 严琦;韦亚一;陈睿;龚文华;邵花;李晨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/10 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 孙峰芳 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法及装置，包括：定义待刻蚀对象的结构信息，待刻蚀对象包括硅衬底及其上方的多个由锗化硅层/硅层依次堆叠的叠层；定义锗化硅层和硅层各自的刻蚀函数；定义不同深度的左侧发射源和右侧发射源的位置坐标和入射角范围；根据刻蚀时间和待刻蚀对象的结构信息确定要入射的刻蚀粒子的个数；向待刻蚀对象依次入射刻蚀粒子直至刻蚀粒子耗尽，对于每个刻蚀粒子，执行以下操作：计算所述待刻蚀对象上接收所述刻蚀粒子的轰击位置，判断所述轰击位置的原子特性，根据原子特性选择不同的刻蚀函数，当满足刻蚀函数的去除条件时，将所述轰击位置的原子去除，最终得到基本刻蚀轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 多叠层 结构 原子 刻蚀 工艺 仿真 方法 装置 | ||
【主权项】：
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