[发明专利]半导体结构及其制备方法、半导体器件在审
| 申请号： | 202210282075.8 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116847649A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陈晓鹏 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杨明莉 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件。半导体结构包括衬底、位线结构和介质层，衬底中包括间隔排布的有源区和隔离结构；位线结构平行间隔排布于衬底上，位线结构包括第一部分和第二部分；介质层覆盖位线结构的上表面和侧面，且覆盖衬底的上表面，其中，衬底上靠近第一部分底部的介质层顶面高于或齐平于衬底上靠近第二部分底部的介质层顶面。上述半导体结构中，靠近第一部分底部的介质层顶面高于或齐平于靠近第二部分底部的介质层顶面，使得在形成节点接触孔时，刻蚀工艺不会偏向于第一部分的两侧而导致节点接触孔无法暴露出有源区，为节点接触孔的刻蚀工艺提供了更大的可控性和工艺窗口，解决了节点接触孔无法打开的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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