[发明专利]一种电荷俘获型的二维水平同质结整流器及制备方法在审
| 申请号： | 202210283293.3 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114937741A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 张跃;王利华;张铮;张敬书;卫孝福;陈匡磊;高丽;于慧慧 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 岳野 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电荷俘获型的二维水平同质结整流器及制备方法，涉及半导体电子技术领域，能够在正栅电场条件下利用石墨炔和二氧化硅绝缘层对双极性二维二硒化钨进行p掺杂和n掺杂，形成的p‑n结可以获得较大的整流比且整流性能稳定；该整流器通过对二维二硒化钨同时进行n型掺杂和p型掺杂，使所述二维二硒化钨在水平方向形成p‑n同质结，从而使其输出电流随着输入漏源电压的正负分别呈现高电平和低电平，实现整流器功能该整流器通过石墨炔薄膜和二氧化硅绝缘层同时与部分二维二硒化钨接触连接，在硅栅电极施加的正向栅电场作用下实现p型和n型掺杂，从而形成同质结。本发明提供的技术方案适用于整流的过程中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 俘获 二维 水平 同质 整流器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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