[发明专利]改善晶圆中心位置良率的方法在审
| 申请号： | 202210287638.2 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114649201A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 彭景;徐晓林 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/02;B08B3/08;H05F1/02;H05F3/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 钟玉敏 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善晶圆中心位置良率的方法，应用于半导体领域。本发明提供了一种改善晶圆中心位置良率的方法，具体的，在对正面形成有半导体器件的晶圆进行湿法清洗工艺之前，先对该晶圆的正面和/或背面进行至少一种特定溶液的至少一次冲洗，以增加晶圆表面的导电性，从而可以实现利用该特定溶液将晶圆正面上存在的静电电荷去除(导出)，进而避免了在后续的晶圆湿法清洗工艺制程中，由于湿法清洗在晶圆表面喷射的清洗溶液与晶圆的表面接触并产生电弧放电的现象的问题，即，从而避免了电弧放电位置处造成晶圆放电位置炸开，进而造成晶圆上出现多处电弧缺陷，从而导致晶圆上形成的多个芯片失效的问题，最终降低了晶圆良率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 中心 位置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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